每个人都知道固态硬盘数据传输速度快，但容量仍然是其主要短板。英特尔已经通过一种名为3D NAND的技术解决了这一问题。三星新款850 Evo固态硬盘存储容量可以达到120GB，而尺寸仅略大于一个优盘，证明3D NAND能有效提高固态硬盘容量。
但3D NAND并非是唯一有助于提高固态硬盘容量的技术。成立于2010年的硬件创业公司Crossbar一直在开发一种名为RRAM(resistive random access memory，阻变式存储器)的技术，这是一种非挥发性随机访问存储器，意味着即使断电后它存储的信息也不会丢失。
Crossbar的方法涉及堆叠成类立方体结构的RRAM，理论上一块芯片的存储容量可以达到至多1TB。这听起来很了不起吧？但它存在一个问题：正常情况下，内存芯片挨得如此近会造成电流泄露，导致能耗增加，最糟糕的情况下甚至会使固态硬盘无法使用。用Crossbar的话说就是，“多个并行导电路径会造成电流泄露，从而限制最大阵列大小和增加能耗。”
这一限制会使Crossbar遭到“淘汰”，但Crossbar工程师表示，他们已经开发了一款被称作1TnR的解决方案，把至多2000个存储单元连接到一个晶体管。这种方案使得Crossbar可以避开电流泄露问题，意味着生产大容量固态硬盘的可能性大大提高了。另外，这种设计使得固态硬盘的使用寿命可以达到1亿个使用周期，在50纳秒内完成开启和关闭状态之间的切换。这使得其使用寿命超过了消费者的需求。
在实践中，Crossbar的RRAM突破意味着它能够把超大的固态硬盘存储容量压缩到邮票大小的空间内。这种固态硬盘的尺寸甚至小于利用三星V-NAND和英特尔3D NAND的固态硬盘。例如，11英寸的Chromebook将能配置1TB大小的固态硬盘。
不过用户还需要等上更长一段时间，因为采用Crossbar技术的固态硬盘最早要到明年末才会上市销售。这类产品2016年上市销售的可能性更大，厂商是否对Crossbar的技术感兴趣尚不清楚，Crossbar没有披露该公司的早期客户。Crossbar的技术还面临数个障碍，如果成功，采用Crossbar技术的固态硬盘将获得急需的容量优势。
