新闪存芯片峰值读写速度可以分别达250MB/s和125MB/s，随机读写性能也提升至11000 IOPS与13000IOPS，比外置microSD卡快了0.27倍。

腾讯数码讯（编译：Lin）除了容量大小以外，闪存芯片本身的性能和速度也在很大程度上决定了智能手机的整体表现，显然并不是每个厂商都会为自己的产品配备最优秀的闪存芯片。而根据国外媒体的最新报道，知名的闪存芯片制造商三星日前推出了世界上首款eMMC 5.1闪存芯片，并且已经准备为一些OEM生产商供货，这意味着即将发布的Galaxy S6或将搭载这种最新的eMMC 5.1闪存芯片。

三星宣称64GB eMMC 5.1闪存芯片的峰值读写速度可以分别达250MB/s和125MB/s，随机读写性能也提升至11000 IOPS与13000IOPS，比外置microSD卡快了0.27倍，总体表现也比eMMC 5.0高出不少。不仅如此，三星eMMC 5.1闪存芯片也是业界首款提供命令队列功能的闪存芯片，允许命令提前进行列队排序，多任务表现进一步升级。