Intel与美光推新固态:单片密度达到1TB
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Intel与美光推新固态:单片密度达到1TB
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发表于: 2018-05-24
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IT之家5月23日消息 Intel在日前宣布与美光联合生产并发布业界首款3D QLC(4 bits / Cell)NAND技术,利用久经考验的64层结构,新的4 bits / Cell 3D NAND技术每个晶片的密度达到1Tb,大有取代机械硬盘之势。
英特尔非挥发性记录体技术开发副总裁RV Giridhar表示:「1Tb 4位/单元NAND的商业化是NVM历史上的一个重要里程碑,并且通过大量的技术和设计创新使我们的浮栅3D NAND技术的性能得到进一步提升,迁移到4bits / cell可为数据中心和客户端储存的密度和成本带到另一个的新操作点。“
Intel及美光曾表示第三代3D NAND技术的开发将于2018年年底或2019年初交付,两家公司已经同意在这一技术节点之后,双方将独立开发3D NAND,以便更好地为各自的业务需求优化技术和产品,预计Intel及Mircon 96层3D NAND将可在2019下半年实现量产。
众所周知,固态硬盘相比机械硬盘,无论在速度、功耗还是噪音控制方面都有不小的优势,相信在大容量廉价固态推出后,机械硬盘将会在普通消费领域逐渐消失。
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